Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)

Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/7289

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Nguyễn, Văn Sỹ
dc.date.accessioned	2025-08-15T11:26:55Z	-
dc.date.available	2025-08-15T11:26:55Z	-
dc.date.issued	2023
dc.identifier.uri	http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/7289	-
dc.description.abstract	Thông qua việc thực hiện đề tài nghiên cứu cấp bộ, các nhà khoa học thuộc Trung tâm Chiếu xạ Hà Nội đã thiết kế, chế tạo thành công đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM), góp phần phát triển các thiết bị ghi đo hạt nhân gọn, nhẹ và tiết kiệm năng lượng.	en
dc.language.iso	vi	en
dc.relation.ispartofseries	Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - A - 2023 - Số 4A - tr. 40-40	en
dc.subject	Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - A	en
dc.title	Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)	en
dc.type	Article	en
item.fulltext	Có toàn văn	-
item.grantfulltext	restricted	-
item.openairecristype	http://purl.org/coar/resource_type/c_18cf	-
item.languageiso639-1	vi	-
item.cerifentitytype	Publications	-
item.openairetype	Article	-
Appears in Collections:	Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - A

File	Description	Size	Format
BaiTapChi_8YKUIFR2.pdf		383.15 kB	Adobe PDF	View online View/Open

CORE Recommender

17

checked on Nov 17, 2025

9

checked on Nov 17, 2025

Check