Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/9631| Nhan đề: | Sử dụng phương pháp động lực học phân tử nghiên cứu sự phát triển của màng mỏng Ge trên chất nền Si Using molecular dynamics simulation to study the growth of Ge thin film on Si substrate |
Tác giả: | Pham,Van Trung Vu, Thi Nhai Nguyen, Xuan Bao |
Từ khoá: | Phương pháp động lực học phân tử;Màng mỏng Ge;Chất nền Si | Năm xuất bản: | 2022 | Nhà xuất bản: | Đại học Đà Nẵng | Định danh: | http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/9631 | DOI: | 1859-1531 |
| Bộ sưu tập: | Tạp chí Khoa học và Công nghệ ĐHĐN - Vol.20, No.11.2 - 2022 |
Hiển thị đầy đủ biểu ghi tài liệu
Các đề xuất từ CORE
Khi sử dụng các tài liệu trong Hệ thống quản lý thông tin nghiên cứu phải tuân thủ Luật bản quyền.