Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/9677| Nhan đề: | Phân tích hiệu năng của các thiết kế SRAM trên công nghệ TSMC 90nm CMOS | Tác giả: | Phạm, Văn Khoa Nguyễn, Duy Thông |
Từ khoá: | Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên;Biên độ nhiễu tín hiệu;Thiết kế ô nhỡ SRAM 8T | Năm xuất bản: | 2022 | Nhà xuất bản: | Đại học Đà Nẵng The University of DaNang |
Tóm tắt: | Khoa học Kỹ thuật và Công nghệ |
Định danh: | http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/9677 | DOI: | 1859-1531 |
| Bộ sưu tập: | Tạp chí Khoa học và Công nghệ ĐHĐN - Vol.20, No.1 - 2022 |
Các tập tin trong tài liệu này:
| Tập tin | Mô tả | Kích thước | Định dạng | |
|---|---|---|---|---|
| PhamVanKhoa(6).pdf | 1.03 MB | Adobe PDF |  Xem/Tải về |
Các đề xuất từ CORE
Khi sử dụng các tài liệu trong Hệ thống quản lý thông tin nghiên cứu phải tuân thủ Luật bản quyền.