Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này: http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/9677
Nhan đề: Phân tích hiệu năng của các thiết kế SRAM trên công nghệ TSMC 90nm CMOS
Performance analysis of SRAM designs using TSMC 90nm CMOS technology
Tác giả: Phạm, Văn Khoa
Nguyễn, Duy Thông
Từ khoá: Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên;Biên độ nhiễu tín hiệu;Thiết kế ô nhỡ SRAM 8T
Năm xuất bản: 2022
Nhà xuất bản: Đại học Đà Nẵng
The University of DaNang
Tóm tắt: 
Khoa học Kỹ thuật và Công nghệ
Định danh: http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/9677
DOI: 1859-1531
Bộ sưu tập: Tạp chí Khoa học và Công nghệ ĐHĐN - Vol.20, No.1 - 2022

Hiển thị đầy đủ biểu ghi tài liệu

Các đề xuất từ CORE

Lượt xem 50

32
đã cập nhật vào 30-01-2026

Google Scholar TM

Kiểm tra...

Altmetric

Altmetric


Khi sử dụng các tài liệu trong Hệ thống quản lý thông tin nghiên cứu phải tuân thủ Luật bản quyền.