Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/24763| Nhan đề: | GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model | Tác giả: | Yogesh Chauhan | Năm xuất bản: | 2024 | Nhà xuất bản: | Elsevier | Định danh: | https://www.sciencedirect.com/book/monograph/9780323998710/gan-transistor-modeling-for-rf-and-power-electronics http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/24763 |
ISBN: | 9780323998710 |
| Bộ sưu tập: | Kỹ thuật 2024 - Engineering 2024 |
Hiển thị đầy đủ biểu ghi tài liệu
Các đề xuất từ CORE
Khi sử dụng các tài liệu trong Hệ thống quản lý thông tin nghiên cứu phải tuân thủ Luật bản quyền.