Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này: http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/26325
Nhan đề: Nghiên cứu chế tạo SiC từ phế thải pin năng lượng mặt trời bằng phương pháp xung điện chớp nhoáng, ứng dụng để giia cường hợp kim Al
Tác giả: Nguyễn, Thị Thiên Nga
Lê, Hữu Quốc Huy
Người hướng dẫn: TS. Nguyễn, Bá Kiên
Từ khoá: Hợp kim Al;Chế tạo SiC;Phương pháp xung điện chớp nhoáng
Năm xuất bản: 2026
Nhà xuất bản: Trường Đại học Bách khoa - Đại học Đà Nẵng
Mô tả: 
CK.26.928
Định danh: http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/26325
Bộ sưu tập: Khoa Cơ khí - Kỹ thuật Cơ khí - Cơ khí hàng không

Hiển thị đầy đủ biểu ghi tài liệu

Các đề xuất từ CORE

Google Scholar TM

Kiểm tra...


Khi sử dụng các tài liệu trong Hệ thống quản lý thông tin nghiên cứu phải tuân thủ Luật bản quyền.