Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/24763| Nhan đề: | GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model | Tác giả: | Yogesh Chauhan | Năm xuất bản: | 2024 | Nhà xuất bản: | Elsevier | Định danh: | https://www.sciencedirect.com/book/monograph/9780323998710/gan-transistor-modeling-for-rf-and-power-electronics http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/24763 |
ISBN: | 9780323998710 |
| Appears in Collections: | Kỹ thuật 2024 - Engineering 2024 |
Show full item record
CORE Recommender
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.