Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/8920
Title: Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon
Authors: Nguyễn, Văn Sỹ
Đặng, Quang Thiệu
Nguyễn, Thanh Hùng
Keywords: Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - B
Issue Date: 2023
Series/Report no.: Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - B - 2023 - Số 1B - tr. 38-38
Abstract: 
Trong nghiên cứu này, một đầu đo nhấp nháy đã được phát triển bằng cách sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM - Silicon photomultiplier) nhằm thay thế cho ống nhân quang điện (PMT - Photomultiplier tube), với ưu điểm là đầu đo nhỏ gọn và tiết kiệm năng lượng...
URI: http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/8920
Appears in Collections:Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - B

Files in This Item:
File Description SizeFormat Existing users please Login
BaiTapChi_8SWGJ7BT.pdf1.86 MBAdobe PDF   View online
Show full item record

CORE Recommender

Page view(s)

9
checked on Nov 13, 2025

Google ScholarTM

Check


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.