Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/8920| Nhan đề: | Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon | Tác giả: | Nguyễn, Văn Sỹ Đặng, Quang Thiệu Nguyễn, Thanh Hùng |
Từ khoá: | Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - B | Năm xuất bản: | 2023 | Tùng thư/Số báo cáo: | Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - B - 2023 - Số 1B - tr. 38-38 | Tóm tắt: | Trong nghiên cứu này, một đầu đo nhấp nháy đã được phát triển bằng cách sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM - Silicon photomultiplier) nhằm thay thế cho ống nhân quang điện (PMT - Photomultiplier tube), với ưu điểm là đầu đo nhỏ gọn và tiết kiệm năng lượng... |
Định danh: | http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/8920 |
| Bộ sưu tập: | Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - B |
Các tập tin trong tài liệu này:
| Tập tin | Mô tả | Kích thước | Định dạng | Đã có tài khoản, vui lòng Đăng nhập |
|---|---|---|---|---|
| BaiTapChi_8SWGJ7BT.pdf | 1.86 MB | Adobe PDF | Xem trực tuyến |
Các đề xuất từ CORE
Google Scholar TM
Kiểm tra...
Khi sử dụng các tài liệu trong Hệ thống quản lý thông tin nghiên cứu phải tuân thủ Luật bản quyền.