Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/8920| Nhan đề: | Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon | Tác giả: | Nguyễn, Văn Sỹ Đặng, Quang Thiệu Nguyễn, Thanh Hùng |
Từ khoá: | Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - B | Năm xuất bản: | 2023 | Tùng thư/Số báo cáo: | Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - B - 2023 - Số 1B - tr. 38-38 | Tóm tắt: | Trong nghiên cứu này, một đầu đo nhấp nháy đã được phát triển bằng cách sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM - Silicon photomultiplier) nhằm thay thế cho ống nhân quang điện (PMT - Photomultiplier tube), với ưu điểm là đầu đo nhỏ gọn và tiết kiệm năng lượng... |
Định danh: | http://thuvienso.dut.udn.vn/handle/DUT/8920 |
| Bộ sưu tập: | Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - B |
Các tập tin trong tài liệu này:
| Tập tin | Mô tả | Kích thước | Định dạng | Đã có tài khoản, vui lòng Đăng nhập |
|---|---|---|---|---|
| BaiTapChi_8SWGJ7BT.pdf | 1.86 MB | Adobe PDF | Xem trực tuyến |
Các đề xuất từ CORE
Lượt xem 20
33
đã cập nhật vào 29-01-2026
Lượt tải xuống
1
đã cập nhật vào 29-01-2026
Google Scholar TM
Kiểm tra...
Khi sử dụng các tài liệu trong Hệ thống quản lý thông tin nghiên cứu phải tuân thủ Luật bản quyền.